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场效应管（Field Effect Transistor，FET）的计算公式和耗散功率计算涉及到电子工程领域的一些复杂概念，以下是关于这两个主题的基本信息：
1、场效应管计算公式：
场效应管的工作可以大致通过其转移特性来描述，这通常涉及到输入电压与输出电流之间的关系，具体计算公式取决于场效应管的类型（JFET、MOSFET等）以及其特定的参数（如跨导、阈值电压等），这些公式通常由制造商提供，并在数据表中详细列出。
对于MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）的简化模型，其漏极电流（ID）和漏极电压（VD）之间的关系可以用以下公式表示：
ID = g*m*(VG - VT)^2
g是跨导，m是沟道调制系数，VG是栅极电压和源极之间的电压差，VT是阈值电压，这是一个简化的模型，真实的工作情况可能会更复杂，在实际应用中，需要根据具体的数据表和使用场景进行详细的计算和调整。
2、场效应管的耗散功率计算：
场效应管的耗散功率是其发热量的度量，主要由两部分组成：导通损耗和开关损耗，导通损耗与场效应管在导通状态下的电压和电流有关，开关损耗则与开关过程中的电压和电流变化率有关，具体的计算方式取决于场效应管的类型、工作条件以及应用环境。
场效应管的耗散功率可以通过以下公式计算：P = I^2 * R
I是通过场效应管的电流，R是等效电阻（包括导通电阻和开关过程中的等效电阻），这只是一个大致的估计，真实的耗散功率可能会因为其他因素（如温度、工作频率等）而有所不同，为了得到准确的耗散功率，通常需要进行详细的实验测量。
信息是基于一般的电子工程知识和经验，具体的计算方式和参数可能会因为场效应管的类型、制造商以及应用环境而有所不同，为了得到准确的结果，建议查阅相关的数据手册和应用笔记，或者咨询专业的电子工程师。